真空膜是指要求具有較高真空度的薄膜,特別是真空離子蒸發、磁控濺射、MBE分子束外延、PLD激光濺射沉積等。磁控濺射靶在真空鍍膜過程中,由于發射時溫度較高,會使射出變形,所以它有一個水套來冷卻射。但要保證套管內水溫不受環境溫度和自然溫度的影響,通常需要借助冷水機組實現真空鍍膜機組的冷卻冷卻。
負壓條件下成膜有許多優點:可以減少蒸發的材料原子、分子在飛向基底的過程中與分子的碰撞、氣體中活性分子與蒸發源材料之間的化學反應(例如氧化等),以及降低成膜過程中氣體分子進入基底中成為雜質的數量,采用金屬真空鍍膜,從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基底的粘接能力。一般真空蒸鍍要求(qiu)成膜(mo)室內壓力等于(yu)(yu)或低于(yu)(yu)10-2Pa,對于(yu)(yu)距(ju)離基(ji)片較(jiao)遠、成膜(mo)質量要求(qiu)高(gao)的蒸(zheng)發源要求(qiu)降低壓力。
在濺射膜上激光濺射鍍膜,成分均勻,易于保持,在原子尺度上厚度均勻度相對較差(因為是脈沖濺射),晶向(外邊沿)生長的控制也比較一般。真空鍍膜機操作規程具體操作時,請參照本說明書及本設備上儀表盤的指針顯示和每個旋鈕下的標注說明。確認真空鍍膜機的(de)(de)(de)各個操作控(kong)制開(kai)關(guan)是(shi)(shi)否處于“關(guan)斷(duan)”位置。就我國(guo)現有的(de)(de)(de)涂裝(zhuang)生(sheng)產(chan)線(xian)(xian)而言,主要存在(zai)以下問題:設計水平不(bu)(bu)高,我國(guo)在(zai)涂裝(zhuang)設備(bei)(bei)開(kai)發方面(mian)投入不(bu)(bu)大,先進(jin)成熟的(de)(de)(de)涂裝(zhuang)設備(bei)(bei)很少占(zhan)領市(shi)場(chang),即使(shi)是(shi)(shi)國(guo)內(nei)自己建造的(de)(de)(de)涂裝(zhuang)生(sheng)產(chan)線(xian)(xian),生(sheng)產(chan)線(xian)(xian)上的(de)(de)(de)一(yi)些關(guan)鍵設備(bei)(bei)也是(shi)(shi)引進(jin)多(duo)了。它在(zai)國(guo)內(nei)的(de)(de)(de)一(yi)些基(ji)礎部(bu)件和控(kong)制部(bu)件的(de)(de)(de)質量(liang)并沒有過關(guan),經不(bu)(bu)起長期的(de)(de)(de)考(kao)驗。