臥式磁控鍍膜生產線設備簡介

★該臥式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜(mo)等等。設(she)備能生產的產品有(you)銀鏡、鋁鏡、彩色玻(bo)(bo)璃、工藝玻(bo)(bo)璃、光(guang)伏玻(bo)(bo)璃、光(guang)電(dian)玻(bo)(bo)璃、ITO導(dao)(dao)電玻璃(li)、非導(dao)(dao)玻璃(li)等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導等膜和金屬單質膜等(deng)工藝。設備主要(yao)應用在(zai)手機鏡片和手機后蓋鍍膜、電(dian)子、電(dian)器、軍工(gong)、家電(dian)、五金、玩具、汽車、建筑(zhu)、建材、燈(deng)飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工藝氣體(ti)：氬氣、氧氣、氮氣等(deng)，具(ju)體看生(sheng)產(chan)的產(chan)品而定。

★靶材材質：金(jin)(jin)、銀、銅、鋁、鈦、鋯、硅(gui)(gui)、鎳(nie)、鉻、錫、銦、鈮(ni)、不(bu)銹鋼(gang)等(deng)(deng)或錫銦、硅(gui)(gui)鋁、鎳(nie)鉻等(deng)(deng)合金(jin)(jin)。

★磁控濺射電(dian)(dian)(dian)源(yuan)：直流電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、中頻電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、射頻電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、離子轟(hong)擊(ji)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、離子源(yuan)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)（按客戶需要而定(ding)）

★該立式磁控鍍膜生產線的結構：有3室4鎖、5室4鎖(suo)、5室(shi)6鎖(suo)、7室(shi)6鎖、9室8鎖。

進片平臺-----前粗抽室（進片室，粗抽真空泵機組）-----前高真空室（精抽真空泵機組）-----前過渡室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜(mo)室的個數按工藝而(er)定，精抽真空泵機組、磁控(kong)濺射(she)陰極靶、氣(qi)體(ti)系統）-----后過渡室-----后高真(zhen)空(kong)室(shi)（精抽(chou)真(zhen)空(kong)泵機組(zu)）-----后粗抽(chou)室(shi)（粗抽(chou)真空泵機組）-----出片平(ping)臺（如此(ci)循環工作）。

★該立式磁控鍍膜生產線的工作流程：有3室4鎖、5室6鎖、7室(shi)6鎖(suo)、9室8鎖，現以7室6鎖為例。

玻璃從清洗機出來進入進片平臺-----前粗抽室(shi)放氣數(shu)秒并開真空(kong)鎖1，玻璃(li)進(jin)入前粗抽室到位(wei)后關真空鎖1并(bing)抽真空（如(ru)有轟擊開轟擊，有時需要充入氬(ya)氣）-----打開真空鎖2后玻(bo)璃進入前(qian)高真空室后關真空鎖2繼續抽高(gao)真(zhen)空-----達到一定真空后開鎖3并(bing)進入前過渡(du)后關(guan)真空鎖3、工件架慢速進(jin)入鍍(du)膜室(shi)1、2、3進(jin)行磁控濺射鍍膜工作（鍍膜真空(kong)度在2×10-1Pa左(zuo)右(you)，按工藝而定）-----鍍膜結束(shu)后到玻璃走到過渡室-----開真空鎖(suo)4并(bing)進入后高真空室關真空鎖4后停(ting)留一定時(shi)間后-----開(kai)真空(kong)鎖5并進入后(hou)粗抽室后(hou)關真(zhen)空鎖(suo)5、放(fang)氣數秒(miao)后開真(zhen)空鎖6-----玻(bo)璃走到出片臺后關閉真空鎖6-----直接下(xia)片或走到下(xia)一個工序（如此循環工作）。

★磁控濺射工作原理：電子在電場的作用下加速飛向(xiang)基(ji)片的過(guo)程中與氬（氧、氮等）原子(zi)發生碰撞，電(dian)離出大量的(de)氬（氧、氮等）離(li)子(zi)(zi)和電子(zi)(zi)，電子(zi)(zi)飛向(xiang)基片。氬離(li)子(zi)(zi)在(zai)電場的作用下加速(su)轟擊(ji)靶材(cai)，濺射出大量的靶材(cai)原子(zi)(zi)，呈中性的靶原子(zi)(zi)（或分子(zi)(zi)）沉(chen)積在(zai)基片上形成膜(mo)層。二(er)次(ci)電子在加速(su)飛向(xiang)基片的過程(cheng)中受到(dao)磁場磁力的作(zuo)用(yong)下，被束縛(fu)在(zai)靠(kao)近靶(ba)(ba)面的(de)(de)等離子體區(qu)(qu)域內，該(gai)區(qu)(qu)域內等離子體密度(du)很高，二次電(dian)(dian)(dian)子在(zai)磁(ci)場的(de)(de)作(zuo)用(yong)下圍(wei)繞(rao)靶(ba)(ba)面作(zuo)圓周運動，該(gai)電(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)運動路徑(jing)很長，在(zai)運動過(guo)程中不斷的(de)(de)與氬原子發生碰(peng)撞電(dian)(dian)(dian)離出大量的(de)(de)氬離子轟(hong)擊(ji)靶(ba)(ba)材，經過(guo)多次碰(peng)撞后電(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)能量逐漸降低，擺脫磁(ci)力線的(de)(de)束縛(fu)，遠(yuan)離靶(ba)(ba)材，最終(zhong)沉積在(zai)基片(pian)上。磁(ci)控(kong)濺射就(jiu)是以磁(ci)場束縛(fu)和(he)延長電(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)運動路徑(jing)，改(gai)變電(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)運動方向，提(ti)高工(gong)作(zuo)氣體的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)離率和(he)有效(xiao)利用(yong)電(dian)(dian)(dian)子的(de)(de)能量。磁(ci)控(kong)濺射的(de)(de)基本(ben)原理是利用(yong) Ar一02或(huo)N2混合氣體中(zhong)的(de)等離(li)子體在電(dian)場和交變磁場的(de)作用下(xia)，被(bei)加(jia)速的(de)高能粒子轟擊靶材(cai)表面(mian)，能量(liang)交換后，靶材(cai)表面(mian)的(de)原(yuan)子脫離(li)原(yuan)晶格而逸出，轉移到基體表面(mian)而成(cheng)膜。