★該立式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導電玻璃、非導玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導等(deng)膜(mo)和金(jin)屬單(dan)質膜(mo)等(deng)工藝。設(she)備(bei)主(zhu)要應用在手(shou)機鏡片和手(shou)機后蓋鍍膜(mo)、電子、電器、軍工、家(jia)電、五金(jin)、玩(wan)具、汽車、建筑、建材(cai)、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工藝氣體：氬氣、氧氣、氮氣等，具體看生產的產品而定(ding)。

★靶材(cai)材(cai)質：金(jin)、銀、銅、鋁、鈦、鋯、硅、鎳、鉻、錫(xi)、銦、鈮、不銹(xiu)鋼(gang)等或(huo)錫(xi)銦、硅鋁、鎳鉻等合金(jin)。

★磁控濺射電源：直流電源、中頻電源、射頻電源、離子轟擊電源、離子源電源（按客戶需要而定）

★該立(li)式磁(ci)控(kong)鍍膜生產線的結(jie)構：有3室4鎖(suo)、5室4鎖(suo)、5室6鎖(suo)、7室6鎖(suo)、9室8鎖(suo)。

上片平(ping)移(yi)臺(tai)（上片）-----前粗抽室（進片室、帶轟擊、粗抽真空泵機組）-----前高真空室（精抽真空泵機組）-----前過渡室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的個數按工藝而定，精抽真空泵機組、磁控濺射陰極靶、氣體系(xi)統）-----后過渡室-----后高真空室（精抽真空泵機組）-----后粗抽室（粗抽真空泵機組）-----下片平移臺（下片臺）-----回流架1、2、3------連接到上片平移臺（如此循環工作）。

★該立式磁(ci)控鍍膜生產(chan)線的工作流程：現以7室(shi)6鎖為(wei)例。

在上片(pian)平移臺處的(de)工件架小車上掛(gua)上或(huo)貼上基(ji)片(pian)-----放氣數秒并開真空鎖1，工件架小車進入到前粗抽室后關真空鎖1并抽真空、轟擊（有時需要充入氬氣）----當抽到真空度后打開真空鎖2后工件架進入前高真空室后關真空鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空后開鎖3并進入前過渡后關真空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行磁(ci)控濺(jian)射(she)鍍膜工(gong)作（鍍膜真(zhen)空度在2×10-1Pa左右，按工藝而定）-----鍍膜結束后工走到過渡室-----開真空鎖4并進入后高真空室關真空鎖4后停留一定時間后-----開真空鎖5并進入后粗抽室后關真空鎖5、放氣數秒后開真空鎖6-----工件架進入到下片平移臺并下片臺-----下片結束后平移到回流架1，工件架從回流架1、2、3------最后送回到上片平移臺回架處-----平移臺平移到前粗抽室前真空鎖1前面停留等待上片（如此循環工作）。

★磁(ci)控濺(jian)(jian)射(she)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)原理：電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)(yong)(yong)下加(jia)速飛(fei)向基片的(de)(de)過(guo)程中(zhong)與氬（氧(yang)、氮(dan)等）原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發生(sheng)碰撞，電(dian)(dian)(dian)離(li)(li)(li)(li)出大量(liang)(liang)的(de)(de)氬（氧(yang)、氮(dan)等）離(li)(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)和電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)飛(fei)向基片。氬離(li)(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)(yong)(yong)下加(jia)速轟擊靶材(cai)，濺(jian)(jian)射(she)出大量(liang)(liang)的(de)(de)靶材(cai)原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，呈中(zhong)性的(de)(de)靶原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)（或(huo)分子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)）沉積在(zai)(zai)(zai)基片上形(xing)成膜層。二(er)次電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)(zai)加(jia)速飛(fei)向基片的(de)(de)過(guo)程中(zhong)受到磁(ci)場(chang)磁(ci)力(li)(li)的(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)(yong)(yong)下，被(bei)束(shu)縛(fu)在(zai)(zai)(zai)靠(kao)近靶面(mian)(mian)的(de)(de)等離(li)(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)區域(yu)內，該區域(yu)內等離(li)(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)密度很(hen)(hen)高(gao)，二(er)次電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)(zai)磁(ci)場(chang)的(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)(yong)(yong)下圍繞(rao)靶面(mian)(mian)作(zuo)(zuo)(zuo)圓周運(yun)動(dong)，該電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)動(dong)路(lu)(lu)徑很(hen)(hen)長，在(zai)(zai)(zai)運(yun)動(dong)過(guo)程中(zhong)不斷的(de)(de)與氬原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發生(sheng)碰撞電(dian)(dian)(dian)離(li)(li)(li)(li)出大量(liang)(liang)的(de)(de)氬離(li)(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)轟擊靶材(cai)，經過(guo)多(duo)次碰撞后(hou)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)能量(liang)(liang)逐漸降低(di)，擺脫磁(ci)力(li)(li)線的(de)(de)束(shu)縛(fu)，遠離(li)(li)(li)(li)靶材(cai)，最終沉積在(zai)(zai)(zai)基片上。磁(ci)控濺(jian)(jian)射(she)就是以磁(ci)場(chang)束(shu)縛(fu)和延長電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)動(dong)路(lu)(lu)徑，改(gai)變電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)動(dong)方(fang)向，提高(gao)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)氣體(ti)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)離(li)(li)(li)(li)率和有(you)效(xiao)利用(yong)(yong)(yong)(yong)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)能量(liang)(liang)。磁(ci)控濺(jian)(jian)射(she)的(de)(de)基本原理是利用(yong)(yong)(yong)(yong) Ar一02或(huo)N2混合氣體(ti)中(zhong)的(de)(de)等離(li)(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)在(zai)(zai)(zai)電(dian)(dian)(dian)場(chang)和交變磁(ci)場(chang)的(de)(de)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)(yong)(yong)(yong)下，被(bei)加(jia)速的(de)(de)高(gao)能粒(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)轟擊靶材(cai)表面(mian)(mian)，能量(liang)(liang)交換后(hou)，靶材(cai)表面(mian)(mian)的(de)(de)原子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)脫離(li)(li)(li)(li)原晶格(ge)而(er)逸出，轉移到基體(ti)表面(mian)(mian)而(er)成膜。