★該臥式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導電玻璃、非導玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非導(dao)等(deng)膜(mo)和(he)金屬單質膜(mo)等工藝(yi)。設備(bei)主要應(ying)用在手(shou)機鏡片和手(shou)機后蓋鍍膜、電(dian)子、電(dian)器、軍工、家電(dian)、五金、玩具、汽車、建(jian)筑、建(jian)材(cai)、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工(gong)藝氣體：氬(ya)氣(qi)、氧(yang)氣(qi)、氮氣(qi)等，具體看生產的產品而定。

★靶(ba)材材質：金、銀、銅、鋁、鈦、鋯(gao)、硅(gui)、鎳、鉻(ge)、錫、銦、鈮、不(bu)銹鋼等或(huo)錫銦、硅(gui)鋁、鎳鉻(ge)等合(he)金。

★磁控濺射電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)：直流電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)、中(zhong)頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)、射頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)、離(li)子轟擊電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)、離(li)子源(yuan)(yuan)(yuan)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)（按客戶需要而(er)定）

★該磁控(kong)鍍膜(mo)生產(chan)線(xian)的結構：有3室(shi)4鎖(suo)、5室(shi)4鎖(suo)、5室(shi)6鎖(suo)、7室(shi)6鎖(suo)、9室(shi)8鎖(suo)。

進片(pian)平臺-----前(qian)粗抽(chou)室(shi)（進片(pian)室(shi)，粗抽(chou)真(zhen)空泵(beng)機(ji)組(zu)）-----前(qian)高真(zhen)空室(shi)（精抽(chou)真(zhen)空泵(beng)機(ji)組(zu)）-----前(qian)過(guo)渡室(shi)-----鍍膜(mo)室(shi)1、2、3（鍍膜(mo)室(shi)的(de)個數按工藝(yi)而(er)定，精抽(chou)真(zhen)空泵(beng)機(ji)組(zu)、磁控濺射(she)陰極(ji)靶、氣(qi)體(ti)系統(tong)）-----后過渡室(shi)(shi)-----后高真(zhen)空室(shi)(shi)（精抽真(zhen)空泵(beng)機組）-----后粗抽室(shi)(shi)（粗抽真(zhen)空泵(beng)機組）-----出片平臺（如此循環工作(zuo)）。

★該磁控鍍膜生產線的工(gong)作流程：有3室(shi)4鎖、5室(shi)6鎖、7室(shi)6鎖、9室(shi)8鎖，現以7室(shi)6鎖為例。

玻璃從清洗機出來進入進片平臺-----前粗抽室放氣數秒并開真空鎖1，玻璃進入前粗抽室到位后關真空鎖1并抽真空（如有轟擊開轟擊，有時需要充入氬氣）-----打開真空鎖2后玻璃進入前高真空室后關真空鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空后開鎖3并進入前過渡后關真空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行磁控(kong)濺射鍍(du)膜(mo)工作（鍍(du)膜(mo)真(zhen)(zhen)空(kong)度(du)在2×10-1Pa左右(you)，按(an)工藝(yi)而(er)定）-----鍍(du)膜(mo)結束后(hou)(hou)到玻璃(li)走到過渡室(shi)(shi)-----開(kai)真(zhen)(zhen)空(kong)鎖(suo)(suo)(suo)4并進入后(hou)(hou)高真(zhen)(zhen)空(kong)室(shi)(shi)關(guan)真(zhen)(zhen)空(kong)鎖(suo)(suo)(suo)4后(hou)(hou)停留一(yi)定時間(jian)后(hou)(hou)-----開(kai)真(zhen)(zhen)空(kong)鎖(suo)(suo)(suo)5并進入后(hou)(hou)粗(cu)抽(chou)室(shi)(shi)后(hou)(hou)關(guan)真(zhen)(zhen)空(kong)鎖(suo)(suo)(suo)5、放氣數秒(miao)后(hou)(hou)開(kai)真(zhen)(zhen)空(kong)鎖(suo)(suo)(suo)6-----玻璃(li)走到出片(pian)臺后(hou)(hou)關(guan)閉真(zhen)(zhen)空(kong)鎖(suo)(suo)(suo)6-----直接下片(pian)或走到下一(yi)個(ge)工序（如此(ci)循環工作）。

★磁控濺(jian)射工(gong)作原理：電子(zi)在電場的作用下加速飛(fei)向基片的過程(cheng)中與氬（氧(yang)、氮等）原(yuan)子發(fa)生碰(peng)撞，電(dian)離(li)出大量的氬（氧(yang)、氮等(deng)）離(li)子和電(dian)子，電(dian)子飛向基(ji)片(pian)。氬離(li)子在(zai)電(dian)場(chang)的(de)作(zuo)用(yong)下(xia)加速轟擊(ji)靶(ba)材(cai)(cai)，濺射出大量的(de)靶(ba)材(cai)(cai)原(yuan)(yuan)子，呈中(zhong)性的(de)靶(ba)原(yuan)(yuan)子（或分子）沉積在(zai)基(ji)片(pian)上(shang)形成(cheng)膜層。二次(ci)電子在加速飛(fei)向基片的(de)過程中受到(dao)磁場磁力的(de)作用下(xia)，被束縛在靠近靶面(mian)的(de)(de)等離子(zi)(zi)體(ti)區(qu)域(yu)內，該區(qu)域(yu)內等離子(zi)(zi)體(ti)密度很(hen)高(gao)，二(er)次(ci)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)在磁(ci)場的(de)(de)作用(yong)下圍繞靶面(mian)作圓周運(yun)(yun)動，該電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)(yun)動路徑很(hen)長(chang)，在運(yun)(yun)動過(guo)程(cheng)中不(bu)斷的(de)(de)與(yu)氬(ya)原子(zi)(zi)發生碰(peng)撞電(dian)(dian)(dian)(dian)離出(chu)大(da)量(liang)(liang)的(de)(de)氬(ya)離子(zi)(zi)轟擊靶材(cai)，經(jing)過(guo)多次(ci)碰(peng)撞后電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)能量(liang)(liang)逐漸降低，擺脫磁(ci)力線的(de)(de)束縛，遠離靶材(cai)，最終沉積在基片上。磁(ci)控濺射(she)(she)就是(shi)以磁(ci)場束縛和延長(chang)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)(yun)動路徑，改變電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)運(yun)(yun)動方(fang)向，提(ti)高(gao)工作氣體(ti)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)離率(lv)和有效利用(yong)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)的(de)(de)能量(liang)(liang)。磁(ci)控濺射(she)(she)的(de)(de)基本原理(li)是(shi)利用(yong) Ar一02或N2混(hun)合氣體(ti)中的(de)等離(li)子體(ti)在(zai)電場和交變磁場的(de)作用下，被加(jia)速(su)的(de)高能粒子轟擊靶(ba)材表(biao)面(mian)，能量交換后，靶(ba)材表(biao)面(mian)的(de)原子脫離(li)原晶格而逸出，轉移到基(ji)體(ti)表(biao)面(mian)而成膜。