立式磁控鍍膜生產線設備簡介

★該立式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏(ping)蔽膜等(deng)等(deng)。設(she)備能(neng)生產的(de)產品有銀(yin)鏡(jing)、鋁鏡(jing)、彩色玻璃(li)、工藝玻璃(li)、光伏(fu)玻璃(li)、光電玻璃(li)、ITO導電玻璃、非導玻璃等(deng)，以及PC、PVC、PET等材料表(biao)面鍍AR、AF、ITO、非(fei)導等膜和金(jin)屬單質膜等(deng)工藝。設備主要應用在手(shou)機(ji)鏡片和手(shou)機(ji)后蓋鍍膜(mo)、電子、電器(qi)、軍工(gong)、家電、五(wu)金(jin)、玩具、汽(qi)車(che)、建(jian)筑、建(jian)材、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵，或兩者搭配使用；設計有防返油機構，減少對產品的污染；使用國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統，使設備盡善盡美。

★工(gong)藝氣體(ti)(ti)：氬氣(qi)、氧氣(qi)、氮氣(qi)等，具體看(kan)生(sheng)產(chan)的產(chan)品(pin)而定。

★靶材材質(zhi)：金(jin)、銀、銅、鋁、鈦(tai)、鋯(gao)、硅(gui)、鎳(nie)(nie)、鉻、錫、銦、鈮、不銹鋼等(deng)或錫銦、硅(gui)鋁、鎳(nie)(nie)鉻等(deng)合金(jin)。

★磁控濺射電(dian)(dian)源(yuan)：直流電(dian)(dian)源(yuan)、中(zhong)頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)、射(she)頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)、離子轟擊電(dian)(dian)源(yuan)、離子源(yuan)電(dian)(dian)源(yuan)（按客戶(hu)需要而定）

★該立式磁控鍍膜生產線的結構：有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖、7室6鎖、9室8鎖。

上片平(ping)移臺（上片）-----前粗抽室(shi)（進片室(shi)、帶(dai)轟擊、粗抽真空(kong)泵機組）-----前高真空室(shi)（精抽真空泵機(ji)組）-----前過渡室-----鍍膜(mo)室1、2、3（鍍膜室(shi)的個數按工藝而定(ding)，精抽真空泵機組(zu)、磁控濺(jian)射陰極(ji)靶、氣體系統）-----后過渡室(shi)-----后高真空室（精抽真空泵機(ji)組）-----后粗抽室（粗抽真(zhen)空泵(beng)機組）-----下(xia)片平移臺(tai)（下(xia)片臺(tai)）-----回流架1、2、3------連接到上片平移臺（如此循(xun)環工作）。

★該立式磁控鍍膜生產線的工作流程：現以7室6鎖為例。

在上(shang)(shang)片平移臺處的工(gong)件(jian)架小車上(shang)(shang)掛(gua)上(shang)(shang)或貼上(shang)(shang)基片-----放氣(qi)數秒并開真空鎖(suo)1，工件架小(xiao)車進入到(dao)前粗抽室(shi)后(hou)關真(zhen)空鎖(suo)1并抽真空、轟擊（有時需要充入氬氣）----當抽到真空度(du)后打開(kai)真空鎖2后(hou)工件架進(jin)入前(qian)高真空(kong)室后(hou)關(guan)真空(kong)鎖2繼續抽高真(zhen)空-----達到一定真(zhen)空后開鎖3并進(jin)入前過渡(du)后關真(zhen)空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行磁控(kong)濺(jian)射鍍膜(mo)工作（鍍膜(mo)真空度在2×10-1Pa左右，按工(gong)藝而(er)定）-----鍍膜結束后工走到(dao)過渡室-----開真空(kong)鎖4并進(jin)入后高真(zhen)(zhen)空室關真(zhen)(zhen)空鎖4后(hou)停留一定(ding)時間后(hou)-----開(kai)真空鎖5并進入后粗抽室后關(guan)真(zhen)空鎖5、放氣數(shu)秒后開真空鎖6-----工件架進入到下(xia)片平移臺并下(xia)片臺-----下片結束后平(ping)移(yi)到回流架1，工件架(jia)從(cong)回(hui)流架(jia)1、2、3------最(zui)后送回到上(shang)片(pian)平移臺(tai)回架(jia)處-----平移臺平移到(dao)前粗(cu)抽室前真(zhen)空鎖1前面停留等待上片（如此循環工作(zuo)）。

★磁控濺(jian)射工(gong)作(zuo)原理：電(dian)子在(zai)電(dian)場(chang)的作用下加速(su)飛向基片的過程(cheng)中與(yu)氬(ya)（氧、氮(dan)等）原子發生碰撞，電離出大量的氬（氧(yang)、氮等）離子和電子，電子飛(fei)向(xiang)基片。氬離子在電場的(de)作用下加(jia)速(su)轟擊靶(ba)材，濺射出大量的(de)靶(ba)材原子，呈(cheng)中性的(de)靶(ba)原子（或分子）沉積在基片上(shang)形成膜層。二次電(dian)子在加速飛向基片的(de)過(guo)程中受到磁場(chang)磁力的(de)作用下，被束縛(fu)在(zai)靠近靶(ba)(ba)面的(de)(de)(de)(de)(de)等離(li)子體區域(yu)內(nei)，該(gai)(gai)區域(yu)內(nei)等離(li)子體密度(du)很高，二次(ci)電(dian)子在(zai)磁(ci)(ci)(ci)場的(de)(de)(de)(de)(de)作用下(xia)圍繞(rao)靶(ba)(ba)面作圓周運動，該(gai)(gai)電(dian)子的(de)(de)(de)(de)(de)運動路(lu)徑很長，在(zai)運動過(guo)程中(zhong)不(bu)斷的(de)(de)(de)(de)(de)與氬原(yuan)子發生碰(peng)撞電(dian)離(li)出大量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)氬離(li)子轟擊(ji)靶(ba)(ba)材，經過(guo)多次(ci)碰(peng)撞后電(dian)子的(de)(de)(de)(de)(de)能量(liang)逐(zhu)漸降低，擺脫磁(ci)(ci)(ci)力線的(de)(de)(de)(de)(de)束縛(fu)，遠離(li)靶(ba)(ba)材，最(zui)終沉積在(zai)基片(pian)上。磁(ci)(ci)(ci)控濺射(she)就是(shi)以磁(ci)(ci)(ci)場束縛(fu)和(he)延長電(dian)子的(de)(de)(de)(de)(de)運動路(lu)徑，改變(bian)電(dian)子的(de)(de)(de)(de)(de)運動方向，提高工作氣體的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)離(li)率和(he)有(you)效利用電(dian)子的(de)(de)(de)(de)(de)能量(liang)。磁(ci)(ci)(ci)控濺射(she)的(de)(de)(de)(de)(de)基本原(yuan)理是(shi)利用 Ar一(yi)02或N2混合(he)氣體(ti)(ti)中的等離子體(ti)(ti)在電場和交(jiao)變磁(ci)場的作用(yong)下，被(bei)加速的高能(neng)粒子轟擊靶材(cai)表面，能(neng)量交(jiao)換后(hou)，靶材(cai)表面的原子脫(tuo)離原晶格(ge)而逸(yi)出，轉移到基體(ti)(ti)表面而成膜。