磁控濺射鍍膜機尤其適用反映堆積(ji)表層(ceng)的(de)鍍(du)膜(mo)(mo)。實(shi)際(ji)上，這(zhe)類工(gong)(gong)藝技(ji)術可以堆積(ji)一切金(jin)屬(shu)氧(yang)化物(wu)(wu)、滲(shen)碳體(ti)(ti)和(he)氮化合(he)物(wu)(wu)塑(su)料(liao)薄(bo)膜(mo)(mo)。除此之(zhi)外，該加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝還(huan)非常適用雙(shuang)層(ceng)膜(mo)(mo)結構工(gong)(gong)程的(de)堆積(ji)，包含光學(xue)系統、五顏六色塑(su)料(liao)薄(bo)膜(mo)(mo)、耐磨涂料(liao)、納米(mi)技(ji)術層(ceng)疊、超(chao)晶格常數鍍(du)層(ceng)、絕緣(yuan)層(ceng)塑(su)料(liao)薄(bo)膜(mo)(mo)等(deng)。早在1970年，就會有(you)高品質的(de)光學(xue)薄(bo)膜(mo)(mo)堆積(ji)實(shi)例。早已研發了多(duo)種(zhong)多(duo)樣光學(xue)薄(bo)膜(mo)(mo)原材(cai)(cai)(cai)料(liao)，包含全透明導電性原材(cai)(cai)(cai)料(liao)、半導體(ti)(ti)材(cai)(cai)(cai)料(liao)、高聚物(wu)(wu)、金(jin)屬(shu)氧(yang)化物(wu)(wu)、滲(shen)碳體(ti)(ti)、氮化合(he)物(wu)(wu)等(deng)。

　　磁控濺射鍍膜機具有下列特性：

　　1、堆積速度大(da)。

　　2、大功率。磁控濺射靶一(yi)般挑選(xuan)200伏-1000伏范(fan)疇內(nei)的(de)(de)工(gong)作(zuo)電(dian)壓，通常是600伏，由于600伏的(de)(de)工(gong)作(zuo)電(dian)壓恰好(hao)在輸出功率(lv)(lv)高效率(lv)(lv)的(de)(de)大合理區域內(nei)。

　　3、濺射動能(neng)低。磁控管靶工作電(dian)壓(ya)低，電(dian)磁場限定了(le)負極周邊的等(deng)離子(zi)，可以阻攔動能(neng)較高的自(zi)由電(dian)子(zi)進到(dao)襯(chen)底。

　　4、硅片溫(wen)度(du)低。運用(yong)陽極氧化(hua)導(dao)電性(xing)充(chong)放電全過程(cheng)中形(xing)成的(de)電子器(qi)件而(er)不接(jie)地(di)(di)裝置基(ji)座，可(ke)以(yi)合(he)理(li)地(di)(di)降低電子對基(ji)材(cai)原(yuan)材(cai)料的(de)沖(chong)擊性(xing)。因而(er)，該板材(cai)具備較(jiao)低的(de)溫(wen)度(du)，特別(bie)適合(he)于一些(xie)耐熱功能不佳的(de)塑膠板材(cai)的(de)噴(pen)涂(tu)。

　　5、磁控濺射靶表(biao)層不(bu)勻(yun)稱刻蝕。磁(ci)控濺(jian)射靶表(biao)層離(li)子注入(ru)不(bu)均(jun)(jun)勻(yun)分布(bu)是(shi)(shi)因為靶材電(dian)磁(ci)場(chang)不(bu)均(jun)(jun)衡導致的(de)，靶材部分部位離(li)子注入(ru)率(lv)高，促使靶材合理(li)使用率(lv)低(利(li)用率(lv)僅(jin)為20%-30%)。因而(er)，為了(le)更(geng)好地(di)提升靶材的(de)使用率(lv)，必須根據一定的(de)方(fang)式更(geng)改電(dian)磁(ci)場(chang)遍布(bu)或(huo)是(shi)(shi)挪動負極中的(de)磁(ci)石，那樣還(huan)可以提升靶材的(de)使用率(lv)。

　　6、可制做復合靶鍍鋁合金膜。

　　7、運用(yong)范疇很廣。磁控(kong)濺(jian)射中(zhong)包含多(duo)種多(duo)樣可沉(chen)積原素，如Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。

磁控濺射鍍膜機