廣東真空設備鍍膜(mo)薄(bo)厚均(jun)勻(yun)度完全取(qu)決于：

1、硅片材(cai)料和(he)濺射靶材(cai)的晶(jing)面(mian)配對水平

2、硅片外表溫度

3、揮發輸出(chu)功率，速度

4、真空值

5、廣東真空設備鍍膜時長，薄厚尺(chi)寸(cun)。

成分均勻度：

揮發鍍膜(mo)成分(fen)(fen)均勻度并不是非常容易(yi)確保，實際(ji)能夠管控的影響因素齊上，但由于基(ji)本原理限制，對非單一成分(fen)(fen)鍍膜(mo)，揮發鍍膜(mo)的成分(fen)(fen)均勻度不太好。

廣東真空設備鍍(du)膜晶向(xiang)均勻度：

1、晶格常數契合度

2、硅片環境溫度

3、蒸發速率

二、.針對磁控濺射類鍍膜，可以將其解讀為運用電子器件或高能激光躍遷濺射靶材，從而使表層成分以原子團或正離子方式被磁控濺射出去，而且附著在硅片表層，歷經涂膜全過程，產生塑料薄膜。磁控濺射鍍膜又分好幾種，整體看，與揮發鍍膜的不同之處取決于磁控濺射速度將成為基本參數之一。磁控濺射鍍膜里的激光器磁控濺射鍍膜pld，成分均勻度非常容易維持，而原子尺度厚度均勻度相對性較弱（畢竟是單脈沖磁控濺射），晶向（外側）生長發育控制也比較一般。以pld為例子，要素主要包括：濺射靶材與硅片的晶面配對水平、鍍膜氣氛（低壓氣體氣氛）、硅片環境溫度、激光器功率、脈沖頻率、磁控濺射時長。針對不同的磁控濺射材料及硅片，主要參數必須試驗明確，是不盡相同的，鍍膜機器設(she)備的(de)(de)好(hao)(hao)與壞主要(yao)(yao)體現在(zai)能(neng)不能(neng)精準溫度控制，能(neng)不能(neng)確(que)保(bao)好(hao)(hao)一(yi)點(dian)的(de)(de)真(zhen)空值，能(neng)不能(neng)確(que)保(bao)好(hao)(hao)一(yi)點(dian)的(de)(de)真(zhen)空腔潔(jie)凈度。MBE分子束外側(ce)鍍膜(mo)技術性，早已好(hao)(hao)一(yi)點(dian)的(de)(de)克(ke)服了(le)以(yi)上所屬難題，但是基本用以(yi)實驗(yan)研究，工業化(hua)生產中比較常(chang)見的(de)(de)一(yi)體式鍍膜(mo)機(ji)主要(yao)(yao)是以(yi)正離子揮發鍍膜(mo)和射頻濺射鍍膜(mo)為主導。